ମହାନ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ 3L TO-220AB SiC ଡାୟୋଡ୍

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ପ୍ୟାକେଜିଂ ଗଠନ: 3L TO-220AB

ପରିଚୟ: YUNYI 3L TO-220AB SiC ଡାୟୋଡ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସାମଗ୍ରୀରୁ ତିଆରି। SiC ଡାୟୋଡ୍‌ଗୁଡ଼ିକର ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ପରିବାହିତା ଥାଏ, ଯାହା ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଭାବରେ ଶକ୍ତି ଘନତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିପାରିବ। ତାପଜ ପରିବାହିତା ଯେତେ ଅଧିକ ହେବ, ପରିବେଶକୁ ତାପ ସ୍ଥାନାନ୍ତର କରିବାର ସାମଗ୍ରୀର କ୍ଷମତା ସେତେ ଅଧିକ ହେବ, ଡିଭାଇସ୍‌ର ତାପମାତ୍ରା ବୃଦ୍ଧି ସେତେ କମ୍ ହେବ, ପାୱାର ଡିଭାଇସ୍‌ର ପାୱାର ଘନତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ ସେତେ ଅଧିକ ସହାୟକ ହେବ, ତେଣୁ ଏହା ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପରିବେଶରେ କାମ କରିବା ପାଇଁ ଅଧିକ ଉପଯୁକ୍ତ। SiC ଡାୟୋଡ୍‌ଗୁଡ଼ିକର ଉଚ୍ଚ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ କ୍ଷେତ୍ର ଶକ୍ତି ସହ୍ୟ କରିବା ଭୋଲଟେଜକୁ ବୃଦ୍ଧି କରେ ଏବଂ ଆକାରକୁ ହ୍ରାସ କରେ, ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ କ୍ଷେତ୍ର ଶକ୍ତି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପାୱାର ଡିଭାଇସ୍‌ଗୁଡ଼ିକର ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜକୁ ବୃଦ୍ଧି କରେ। ସେହି ସମୟରେ, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନ୍ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ କ୍ଷେତ୍ର ଶକ୍ତି ବୃଦ୍ଧି ଯୋଗୁଁ, ଅଶୁଦ୍ଧତା ପ୍ରବେଶ ଘନତା ବୃଦ୍ଧି କ୍ଷେତ୍ରରେ, SiC ଡାୟୋଡ୍ ପାୱାର ଡିଭାଇସ୍‌ର ଡ୍ରିଫ୍ଟ କ୍ଷେତ୍ରର ବ୍ରଡବ୍ୟାଣ୍ଡକୁ ହ୍ରାସ କରାଯାଇପାରିବ, ଯାହା ଫଳରେ ପାୱାର ଡିଭାଇସ୍‌ର ଆକାର ହ୍ରାସ କରାଯାଇପାରିବ।

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସମୟ ନିରୀକ୍ଷଣ କରାଯାଉଛି

ମାପ ପରିସର

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍‌ଗୁଡ଼ିକ

YUNYI ର 3L TO-220AB SiC ଡାୟୋଡର ଲାଭ:

୧. ଉଚ୍ଚ-ସ୍ତରୀୟ ଗୁଣବତ୍ତା ସହିତ ପ୍ରତିଯୋଗିତାମୂଳକ ମୂଲ୍ୟ

2. କମ୍ ସମୟ ସହିତ ଉଚ୍ଚ ଉତ୍ପାଦନ ଦକ୍ଷତା

3. ଛୋଟ ଆକାର, ସର୍କିଟ୍ ବୋର୍ଡ ସ୍ଥାନକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରେ।

୪. ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରାକୃତିକ ପରିବେଶରେ ସହ୍ୟଯୋଗ୍ୟ

୫. ସ୍ୱୟଂ-ବିକଶିତ କମ୍-କ୍ଷମ ଚିପ୍

ଚିପ୍ ଉତ୍ପାଦନର ପଦକ୍ଷେପ:

୧. ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଭାବରେ ମୁଦ୍ରଣ (ସୁପର-ସଠିକ୍ ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ୱେଫର ମୁଦ୍ରଣ)

୨. ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ପ୍ରଥମ-ଏଚିଂ (ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଏଚିଂ ଉପକରଣ, CPK>୧.୬୭)

3. ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ପୋଲାରଟି ପରୀକ୍ଷା (ସଠିକ ପୋଲାରଟି ପରୀକ୍ଷା)

୪. ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ସଭା (ସ୍ୱୟଂ-ବିକଶିତ ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ସଠିକ ସଭା)

୫. ସୋଲଡରିଂ (ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ ଏବଂ ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ସୋଲଡରିଂର ମିଶ୍ରଣ ସହିତ ସୁରକ୍ଷା)

୬. ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଦ୍ୱିତୀୟ-ଏଚିଂ (ଅତି-ବିଶୁଦ୍ଧ ପାଣି ସହିତ ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଦ୍ୱିତୀୟ-ଏଚିଂ)

୭. ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଗ୍ଲୁଇଂ (ଏକରୂପ ଗ୍ଲୁଇଂ ଏବଂ ସଠିକ୍ ଗଣନା ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ସଠିକ୍ ଗ୍ଲୁଇଂ ଉପକରଣ ଦ୍ୱାରା ସାକାର କରାଯାଏ)

୮. ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଥର୍ମାଲ୍ ପରୀକ୍ଷଣ (ଥର୍ମାଲ୍ ପରୀକ୍ଷକ ଦ୍ୱାରା ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଚୟନ)

୯. ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ପରୀକ୍ଷଣ (ବହୁକାର୍ଯ୍ୟକାରୀ ପରୀକ୍ଷକ)

ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକର ପାରାମିଟରଗୁଡ଼ିକ:

ଅଂଶ ସଂଖ୍ୟା	ପ୍ୟାକେଜ୍	VRWMName V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRF10650CT	ITO-220AB	୬୫୦	10	60	60	୧.୭
ଜିଆଇସିଆରଏଫ୫୬୫୦	ITO-220AC	୬୫୦	5	60	60	2
ଜିଆଇସିଆରଏଫ୬୬୫୦	ITO-220AC	୬୫୦	6	60	50	2
Z3D06065F	ITO-220AC	୬୫୦	6	70	୩(୦.୦୩ ସାଧାରଣ)	୧.୭(୧.୫ ସାଧାରଣ)
ଜିଆଇସିଆରଏଫ୧୦୬୫୦	ITO-220AC	୬୫୦	10	୧୦୦	୧୨୦	୧.୭
ଜିଆଇସିଆରଏଫ୧୦୧୨୦୦	ITO-220AC	୧୨୦୦	10	୧୧୦	୧୦୦	୧.୮
ଜିଆଇସିଆରଏଫ୧୨୬୦୦	ITO-220AC	୬୦୦	12	50	୧୫୦	୧.୭
ଜିଆଇସିଆରଏଫ୧୨୬୫୦	ITO-220AC	୬୫୦	12	50	୧୫୦	୧.୭
Z3D03065F	ITO-220AC	୬୫୦	3	46	୨(୦.୦୩ ସାଧାରଣ)	୧.୭(୧.୪ ସାଧାରଣ)
Z3D10065F	ITO-220AC	୬୫୦	10	୧୧୫	୪୦(୦.୭ ସାଧାରଣ)	୧.୭(୧.୪୫ ସାଧାରଣ)
Z4D10120F	ITO-220AC	୧୨୦୦	10	୧୦୫	୨୦୦ (୩୦ ଟି ସାଧାରଣ)	୧.୮(୧.୫ ସାଧାରଣ)
ZICR10650CT	TO-220AB	୬୫୦	10	60	60	୧.୭
Z3D20065C	TO-220AB	୬୫୦	20	୧୧୫ (ପ୍ରତି ଗୋଡ ପାଇଁ)	୪୦ (୦.୭ ସାଧାରଣ) (ପ୍ରତି ଗୋଡ ପାଇଁ)	୧.୭ (୧.୪୫ ସାଧାରଣ) (ପ୍ରତି ଗୋଡ ପାଇଁ)
ଜିଆଇସିଆର୫୬୫୦	TO-220AC	୬୫୦	5	60	60	2
ଜିଆଇସିଆର୬୬୫୦	TO-220AC	୬୫୦	6	60	50	2
Z3D06065A	TO-220AC	୬୫୦	6	70	୩(୦.୦୩ ସାଧାରଣ)	୧.୭(୧.୫ ସାଧାରଣ)
Z3D10065A	TO-220AC	୬୫୦	10	୧୧୫	୪୦(୦.୭ ସାଧାରଣ)	୧.୭(୧.୪୫ ସାଧାରଣ)
ଜିଆଇସିଆର୧୦୬୫୦	TO-220AC	୬୫୦	10	୧୧୦	୧୦୦	୧.୭
Z3D20065A	TO-220AC	୬୫୦	20	୧୭୦	୫୦ (୧.୫ ସାଧାରଣ)	୧.୭(୧.୪୫ ସାଧାରଣ)
ଜିଆଇସିଆର୧୦୧୨୦୦	TO-220AC	୧୨୦୦	10	୧୧୦	୧୦୦	୧.୮
ଜିଆଇସିଆର୧୨୬୦୦	TO-220AC	୬୦୦	12	50	୧୫୦	୧.୭
ଜିଆଇସିଆର୧୨୬୫୦	TO-220AC	୬୫୦	12	50	୧୫୦	୧.୭
Z3D03065A	TO-220AC	୬୫୦	3	46	୨(୦.୦୩ ସାଧାରଣ)	୧.୭(୧.୪ ସାଧାରଣ)
Z4D04120A	TO-220AC	୧୨୦୦	4	46	୨୦୦ (୨୦ ସାଧାରଣ)	୧.୮(୧.୫ ସାଧାରଣ)
Z4D05120A	TO-220AC	୧୨୦୦	5	46	୨୦୦ (୨୦ ସାଧାରଣ)	୧.୮(୧.୬୫ ସାଧାରଣ)
Z4D02120A	TO-220AC	୧୨୦୦	2	44	୫୦ (୧୦ ସାଧାରଣ)	୧.୮(୧.୫ ସାଧାରଣ)
Z4D10120A	TO-220AC	୧୨୦୦	10	୧୦୫	୨୦୦ (୩୦ ଟି ସାଧାରଣ)	୧.୮(୧.୫ ସାଧାରଣ)
Z4D20120A	TO-220AC	୧୨୦୦	20	୧୬୨	୨୦୦ (ସାଧାରଣତଃ ୩୫)	୧.୮(୧.୫ ସାଧାରଣ)
Z4D08120A	TO-220AC	୧୨୦୦	8	64	୨୦୦ (ସାଧାରଣତଃ ୩୫)	୧.୮(୧.୬ ସାଧାରଣ)
Z4D15120A	TO-220AC	୧୨୦୦	15	୧୦୦	୨୦୦ (ସାଧାରଣତଃ ୩୫)	୧.୮(୧.୫ ସାଧାରଣ)
Z3D15065A	TO-220AC	୬୫୦	15	୧୬୨	୨୫ (୦.୫ ସାଧାରଣ)	୧.୭(୧.୫ ସାଧାରଣ)
Z3D06065I	TO-220-IZolation	୬୫୦	6	70	୩(୦.୦୩ ସାଧାରଣ)	୧.୭(୧.୫ ସାଧାରଣ)
Z3D10065I	TO-220-IZolation	୬୫୦	10	୧୧୫	୪୦(୦.୭ ସାଧାରଣ)	୧.୭(୧.୪୫ ସାଧାରଣ)